DB HiTek « Stimule le développement de semi-conducteurs de puissance GaN·SiC de nouvelle génération »

MSN - 18/10

(Séoul = Yonhap News) Le journaliste Kim A-ram = DB HiTek a annoncé le 18 qu'il accélérait son développement en introduisant récemment des équipements clés nécessaires à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs de puissance GaN (nitrure de gallium) et SiC (carbure de silicium) de nouvelle génération. Les semi-conducteurs GaN·SiC sont plus résistants aux hautes tensions, aux hautes fréquences et aux températures élevées que les semi-conducteurs à base de silicium existants, et ont un rendement énergétique plus élevé. Donc ...

Tags : DB HiTek - semi-conducteur de puissance -

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